IBM ermöglicht mit neuer Transistor-Technik 150 GHz in zwei Jahren

[Tec]

IBM hat heute den schnellsten Transistor auf Silizium-Basis vorgestellt. Der bipolare Transistor, der mit der Silizium-Germanium-Technologie (SiGe) hergestellt wurde, erreicht eine Taktfrequenz von unglaublichen 350 GHz.

Laut IBM könnten Prozessoren mit der neuen Transistor-Technik schon in zwei Jahren 150 GHz erreichen.
Die neue Technik SiGe beschleunigt Elektronen schneller als bei herkömmlichen Transistoren, was somit die Taktfrequenz erhöht.

Die Elektronen bewegen sich außerdem nicht mehr horizontal sondern vertikal, wobei die Höhe des Transistors verringert wurde. Weitere Details will IBM aber erst im Dezember auf der IEDM in San Fransisco vorstellen.

Quelle

 

[Watchme]

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